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我司EBL设备完成调试并对外开放

芯辰半导体（苏州）有限公司的EBL设备完成调试，有部分机时对外开放，欢迎合作！

联系人：孔工 13339884631

EBL设备的电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束的电流分布也非常均匀，长时间刻写高精度图形时，表现出极其稳定的性能，适合大面积的精密图形刻写。

我司核心研发团队来自中国科学院半导体研究所，具有多年光器件、光芯片及大规模光子集成芯片的研制经验，所研制的光芯片也被业内广泛关注。配合高性能的EBL设备，我司将面向企业、高校、研究所等用户，提供芯片快速验证服务，帮助客户加速研发流程，提高研发效率。

EBL设备具体性能参数如下：

绘制性能

• 曝光范围：Φ150 mm
• 写场面积： 60×60，120×120，300×300，600×600，1200×1200，1500×1500 μm²
• 最小定位精度：0.03 nm
• 模式发生频率：100 MHz
• 扫描速率：0.01-65 μs/pixel
• 最小电子束直径：3 nm
• 最小线宽：20 nm（60×60 μm²写场）
• 写场拼接精度：
  • 20 nm（在60×60 μm²写场）
  • 35 nm（在120×120 μm²写场）
  • 50 nm（在600×600 μm²写场）
  • 100 nm（在1200×1200 μm²写场）
  • 100 nm（在1500×1500 μm²写场）

电子光学系统

• 加速电压：5~50 kV（1kV步进）
• 束流：10 pA-100 nA
• 电子束电流稳定性：＜±1%/5h
• 电子束电流均匀性：＜±0.5%（在1200×1200 μm²写场）
• 电子束位置稳定性：＜±30 nm/5h
• 扫描旋转：已配备
• 工作距离：50 mm

载物台

• 载片尺寸：Φ50，75，100，150 mm晶元（厚度：0.1~3 mm）
• 行程距离：X=0~150 mm，Y=0~150 mm，Z=0~5 mm

（DFB模式性能）

• 光栅周期控制：＜±0.02 nm
• 线宽均匀性：＜10%
• 工作速度：2h/2英寸晶元

图1为操作员作业照片，图2为EBL写光栅示例照片（光栅周期160 nm）。

图1 操作员作业照片

图2 EBL写光栅示例照片

2024月8月25日