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我司SEM-FIB设备完成调试并对外开放

芯辰半导体（苏州）有限公司的SEM-FIB设备近日完成调试，有部分机时对外开放，欢迎送样测试！

我司的SEM-FIB设备是Thermoscientific公司的Scios 2机型，采用DaulBeam系统，能为包括磁性和非导电材料在内的各种样品提供出色的样品制备和三维表征性能。该设备不仅在高电压下提供高分辨率成像和铣削，而且还有不错的低电压性能，能够创建高质量的TEM薄片样品。

具体性能参数如下：

电子束分辨率

最佳工作距离

• 在30keV(STEM)下，为0.7nm
• 在1keV 下，为1.4nm

电子束参数空间

• 电子束电流范围：1pA-400nA
• 加速电压范围: 200V-30kV
• 最大水平场宽：在7mm工作距离下为3.0mm，在60mm工作距离下为7.0mm

离子光学系统

• 加速电压：500V-30kV
• 离子束分辨率：使用选择边缘方法时，30kV时为3.0nm

载物台和样品

• XY范围：110nm
• Z范围：65nm
• 旋转：360°（无穷）
• 倾斜范围：-15°至﹢90°
• 最大样品高度：距共心点85mm
• 最大样品重量（0°倾斜时）：2kg（含样品支架）
• 最大样品尺寸：直径为110mm时，全方位旋转（若样品超过此限值，则旋转受限）

以下图1为设备照片，图2为操作员作业照片，图3为SEM示例照片，图4为用FIB制TEM样品示例照片。

图1 SEM-FIB设备照片

图2 操作员作业照片

图3 SEM示例照片（VCSEL氧化区域）

图4 FIB制TEM波片样品

2024年8月16日